瓦里安Varian射線平板探測器不同類型的原理
更新時間:2021-09-14 點擊次數(shù):1104次
瓦里安Varian射線平板探測器可生成高質(zhì)量的CBCT及全景影像,適合中型牙科應(yīng)用。非晶硅探測器已成為醫(yī)療、牙科及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)CBCT成像設(shè)備的衡量標(biāo)準(zhǔn)。
不同類型的射線平板探測器其原理也有差異:
一、碘化銫型
一般原理是首先將X射線通過熒光介質(zhì)材料轉(zhuǎn)換為可見光,然后通過光敏元件將可見光信號轉(zhuǎn)換為電信號,最后通過A/D將模擬電信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。
具體原理是:
1.曝光前陽離子被存儲在硅表面上以產(chǎn)生均勻的電荷,從而在硅表面上產(chǎn)生電子場。
2.曝光期間在硅中產(chǎn)生電子-空穴對,并向表面釋放自由電子,從而在硅表面產(chǎn)生了潛在的電荷像,并且每個點的電荷密度等于局部X射線強(qiáng)度。
3.曝光后X射線圖像存儲在每個像素中。
4.半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器讀取每個元素并完成模數(shù)轉(zhuǎn)換。
二、CCD型
一般原理是增強(qiáng)屏幕用作X射線交互介質(zhì),并添加CCD以數(shù)字化X射線圖像。
具體原理以MOS電容器類型為例:
在P型Si的表面形成一層SiO2,然后在其上蒸鍍一層多晶硅作為電極,并在P-上施加電壓。電極的Si型襯底,以在電極A的低勢能區(qū)或勢阱下形成它。勢阱的深度與電壓有關(guān)。電壓越高,勢阱越深。光生電子存儲在勢阱中。光生電子的數(shù)量與光的強(qiáng)度成正比。因此,存儲的電荷量也反映了該點的亮度。存儲在數(shù)百萬個感光單元中的電荷形成與該圖像相對應(yīng)的電荷圖像。
三、非晶硒型
一般原理是光電導(dǎo)半導(dǎo)體將接收到的X射線光子直接轉(zhuǎn)換為電荷,然后通過薄膜晶體管陣列將電信號讀出并數(shù)字化。
具體原理:
1.X射線入射光子激發(fā)非晶硒層中的電子-空穴對。
2.電子和空穴在外部電場的作用下以相反的方向移動以產(chǎn)生電流。電流的大小與入射的X射線有關(guān)。光子數(shù)成正比。
3.這些電流信號被存儲在TFT的電極間電容上,并且每個TFT和電容形成像素單元。